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Marca: | Samsung |
SKU: | 3_T_0003_90746714 |
EAN: | 8801643443757 |
MPN: | MZ-76Q1T0BW |
Disponibilità: | 1 disponibile |
Altre caratteristiche | |
Colore del prodotto | Argento |
Dimensioni e peso | |
Peso | 51 g |
Altezza | 6,8 mm |
Profondità | 69,8 mm |
Larghezza | 100 mm |
Condizioni ambientali | |
Intervallo temperatura di funzionamento | 0 - 70 °C |
Shock di funzionamento | 1500 G |
Umidità | 5 - 95% |
Intervallo di temperatura | -40 - 85 °C |
Gestione energetica | |
Consumo energetico (inattivo) | 0,03 W |
Consumo energetico (max) | 4 W |
Tensione di esercizio | 5 V |
Consumo energetico (medio) | 2,2 W |
Caratteristiche | |
Velocità di scrittura | 520 MB/s |
Supporto S.M.A.R.T. | Sì |
Scrittura casuale (4KB) | 89000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
Classificazione per TBW | 1440 |
Fattore di forma dell'unità SSD | 2.5" |
NVMe | No |
Componente per | Computer portatile |
Raccolta rifiuti attiva | Sì |
TCG Opal 2.0 | Sì |
Data Integrity Check (verifica integrità dati) | Sì |
Velocità di lettura | 550 MB/s |
Capacità SSD | 1000 GB |
Tipo controller | Samsung MJX |
Algoritmi di sicurezza supportati | 256-bit AES |
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo) | Sì |
IEEE 1667 | Sì |
Supporto TRIM | Sì |
Interfaccia | Serial ATA III |
Tipo di unità NAND | MLC (Multi Level Cell) |
Tempo medio tra guasti (MTBF) | 1500000 h |
Tipo memoria | V-NAND MLC |
Lettura casuale (4KB) | 96000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
Velocità di trasferimento dati | 6 Gbit/s |